Samsung Galaxy S6 e S6 Edge hanno fatto registrare prestazioni record al Mobile World Congress di Barcellona. Dopo l’evento Unpacked 2015, in cui Samsung ha svelato i nuovi smartphone top di gamma, è stato possibile effettuare i primi test e benchmark sui prodotti esposti dall’azienda coreana.

Exynos 7420 è il nuovo SoC presente all’interno di Galaxy S6 e Galaxy S6 Edge. Sviluppato con un processo produttivo a 14 nanometri FinFET e dotato di architettura ARM big.LITTLE, il nuovo processore Exynos 7420 sembra essere una spanna sopra ai rivali, inclusi Snapdragon 810 e Apple A8, processore presente nei nuovi iPhone 6 e iPhone 6 Plus.

I due smartphone top di gamma di Samsung, le cui caratteristiche tecniche ufficiali sono state comunicate durante la conferenza ufficiale, hanno fatto registrare valori record con i benchmark AnTuTu, GFXBench, AndroBench e Geekbench.

Nei test di Geekbench, Exynos 7420 supera di gran lunga Snapdragon 810 e Apple A8 nel test multi-core. Infatti, il nuovo Samsung Galaxy S6 ha fatto registrare 5089 punti, rispetto ai 2873 punto dell’iPhone 6 e 4254 punti dello Snapdragon 810. Un altro particolare estremamente interessante è stato riportato da PhoneArena, che nei test della memoria di AndroidBench, Samsung Galaxy S6 ha fatto registrare velocità di lettura e scrittura più elevate, rispetto a Galaxy S5, merito dei nuovi chip UFS 2.0. Le velocità di scrittura e lettura sequenziale, infatti, sono pari a 139.08 MB/s e 314.87 MB/s, rispetto ai 24.2 e 176.5 MB/s del Galaxy S5. Anche in lettura random, Galaxy S6 è arrivato a quota 77.2 MB/s, rispetto ai 13.2 MB/s del predecessore.

Le prestazioni da record registrate su Galaxy S6 e S6 Edge dimostrano come Samsung abbia lavorato a lungo nella realizzazione di un SoC estremamente innovativo e che offra performance elevate. Ovviamente, i test benchmark dovranno essere ripetuti sulle versioni che verranno rese disponibili in commercio, a partire dal 10 aprile 2015, per poter confermare la potenza computazionale del SoC.