Samsung Electronics Co. ha introdotto sul mercato il nuovo sensore di immagini APS-C CMOS da 28-megapixel per fotocamere digitali. Prodotto in serie, il nuovo sensore S5KVB2 è presente all’interno del sistema della nuova NX1, la rivoluzionaria fotocamera professionale appena presentata a Photokina 2014, la principale fiera del settore che si tiene a Colonia ogni due anni.

Utilizzando l’avanzata tecnologia dei pixel BSI (Back Side Illumination), il nuovo sensore S5KVB2 è in grado di assorbire un’elevata quantità di luce e di garantire quindi delle immagini di altissima qualità. Sfruttando il processore da 65 nanometri (nm) in rame a bassa potenza è possibile ottimizzare il consumo energetico senza impattare la resa delle immagini. “Per soddisfare la crescente domanda del mercato della fotografia digitale, Samsung ha progettato questo nuovo sensore per offrire un’eccellente risoluzione, una qualità di immagini superiore e una velocità di scatto più rapida consumando pochissima energia”, ha detto Kyushik Hong, vice president of System LSI marketing, Samsung Electronics. “Il nostro obiettivo è quello di garantire soluzioni sempre più performanti e aprire nuovi scenari nel settore della fotografia: il sensore APS-C CMOS BSI va esattamente in questa direzione”.

Il nuovo S5KVB2 è il primo sensore di immagini APS-C ad avere pixel retroilluminati (BSI). La struttura BSI muove lo strato di metallo nella parte posteriore del fotodiodo per ridurre la perdita di luminosità: la sensibilità alla luce di ogni singolo pixel è aumentata e ne migliora di conseguenza l’assorbimento nelle aree periferiche di circa il 30%, garantendo immagini più nitide e dettagliate se confrontate con quelle ottenute da pixel ad illuminazione frontale. Il layout in metallo del sensore per il cablaggio è ottimizzato e, muovendo il fotodiodo, assicura una elevata velocità durante lo scatto diminuendo sensibilmente anche il rumore casuale. Grazie al sensore S5KVB2 si possono inoltre registrare video 30fps con risoluzione Ultra HD e con il processore da 65 nanometri (nm) in rame a bassa potenza si ottengono immagini molto più nitide rispetto ai normali sensori in alluminio da 180 nm; il rame consuma infatti una quantità notevolmente inferiore di energia e ha una minore quantità di emissioni termiche.

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